Trong nỗ lực để “nhồi nhét” nhiều dung lượng lưu trữ hơn vào bộ nhớ flash, các công ty đã phát triển công nghệ NAND 3D với các tế bào nhớ được xếp chồng lên nhau.
Mới đây nhất, Micron đã giới thiệu bộ nhớ NAND 3D đầu tiên của họ được tối ưu hóa cho điện thoại di động. Nghĩa là chúng ta đã có thể bắt đầu nhìn thấy công nghệ này trên những chiếc di động trong thời gian tới.
Đã có một số ổ đĩa SSD trên thị trường sử dụng công nghệ NAND 3D nhưng chủ yếu tập trung vào máy tính để bàn, máy chủ hay máy tính xách tay.
Giải pháp mới của Micron nhắm vào điện thoại thông minh. Tuy nhiên, họ không phải là công ty đầu tiên làm như vậy: Đầu năm nay Samsung đã giới thiệu một bộ nhớ UFS 256 GB dựa trên công nghệ lưu trữ V-NAND flash.
Giải pháp của Samsung hướng vào các thiết bị di động cao cấp, trong khi Micron nhắm vào cả phân khúc cao cấp và tầm trung. Chip nhớ di động 3D NAND đầu tiên của công ty có dung lượng 32 GB dựa trên Universal Flash Storage (UFS) 2.1 cho tốc độ xử lí nhanh.
Công nghệ 3D NAND hứa hẹn có thể “ép” nhiều dung lượng lưu trữ hơn nữa vào chip nhớ trong tương lai. Micron dự đoán với công nghệ này, những chiếc điện thoại thông minh vào năm 2020 sẽ có bộ nhớ lên đến 1 TB.
Điều này sẽ xảy ra khi Micron và các công ty hiện nay thành công trong việc tăng dung lượng chip nhớ nhưng không làm thay đổi kích thước của nó. Thậm chí, kích thước của những con chip nhớ sẽ nhỏ hơn nhưng vẫn có cùng dung lượng lưu trữ 16 GB, 32 GB hoặc 64 GB như hiện nay. Nếu thành công, công nghệ này sẽ góp phần giải phóng một phần không gian bên trong thiết bị, giúp tăng cường các thành phần khác, chẳng hạn như tăng kích thước của thỏi pin.
Tham khảo:Liliputing
